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标题: 最全开关电源变压器的计算公式,给大家整理好了 [打印本页]

作者: 思睿达小妹妹    时间: 2022-4-21 16:13
标题: 最全开关电源变压器的计算公式,给大家整理好了
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2022-4-21 16:37 编辑
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在电子专业里,经常能看到变压器的身影,变压器是一种供电所常用的机器,它的主要作用是改变电压。变压器的工作原理其实很简单,就是通过电磁感应让交流电的电压发生改变。其主要构件包括初级线圈、次级线圈、铁芯。其实变压器的作用不只是改变电压那么简单,它的作用还包括电压变换电流变化等。

! {6 r8 H6 k/ E! l
[attach]44328[/attach]
- D7 l; D, s9 n; t$ s* a; ~: p

5 [, Z5 r# N/ l: s3 x8 S  Q9 E* T

接下来,小编为大家整理了开关电源变压器相关的计算公式,赶紧收藏起来吧!


7 x3 D$ S" s" S0 T. U3 X- m* A

1、确定系统规格

+ l4 e( J4 S& J
3 w: S+ Q8 z+ w7 P: x

最小AC输入电压:VACMIN,单位:伏特。


. a1 X5 K$ X% F9 n9 F9 G+ s

最大AC输入电压:VACMAX,单位:伏特。

* y+ e% V& o% X  ]$ s

输入电压频率:fL,50Hz或者60Hz。

5 [- {+ p+ Q( j. R$ a% F3 s

输出电压:VO,单位:伏特。

7 k+ ]  _' a. j; Q) P1 @6 y1 z

最大负载电流:IO,单位:安培。

$ e0 b8 D% m4 p# v. f

输出功率:PO,单位:瓦特。


; F$ l# @6 J( `) k, `

电源效率:η,如无数据可供参考,则对于低电压输出(低于6V)应用和高电压输出应用,应分别将η设定为0.75~0.79和0.8~0.89。

计算最大输入功率:PIN,单位:瓦特。

# C2 Y7 B' ?) p9 v# k, r7 H
[attach]44343[/attach]
$ ^. _- s, E# O4 D7 E

0 i1 H0 U0 j7 N8 w

2、直流电压范围(VMIN、VMAX)


1 n/ }2 N, u8 Q5 m3 @

最小直流输入电压VMIN

8 |3 |8 g5 a1 G
[attach]44330[/attach]

! N# ^+ |+ B, ?& |) {* F4 s7 D

其中,


4 M8 Y1 ]( h$ \! P

fL为输入交流电压频率(50Hz/60Hz);

tC为桥式整流大额导通时间,如无数据可供参考,则取3ms;

所有单位分别为伏特、瓦特、赫兹、秒、法拉第。

最大直流输入电压VMAX

[attach]44331[/attach]

" R( N( ~% o& A% W8 D7 S0 }

3、相应工作模式和定义电流波形参数KP


/ L/ h! D( U) ?$ \
[attach]44332[/attach]

$ h2 E6 u9 `! G1 U

图2.2 电流波形与工作模式

当KP≤1,连续模式,如图2.2a;


7 n4 X3 ^4 N5 q0 T$ t

[attach]44344[/attach]

1 o: R' N7 ~7 t

其中:IR为初级纹波电流,IP为初级峰值电流。


1 ?7 E: [9 {% }

当KP≥1,非连续模式,如图2.2b;

[attach]44334[/attach]
% V2 _" Y: q9 T, w4 _' J  g; A3 o; z) o

在连续模式设计中,宽电压输入时,设定KP=0.4;230V单电压或者115V倍压整流输入时,设定KP=0.6。在非连续模式设计中,设定KP=1。

9 C& X$ {$ z; _

4、确定反射的输出电压VOR和最大占空比DMAX


% b% ~0 y, R7 F) {+ z; d/ {' _' ^5 W

反射电压VOR设定在80V~110V。


  y: ~# H: m5 D$ u' P

连续模式时计算DMAX:

[attach]44335[/attach]
/ Z8 C7 x* X  H$ [3 e7 J- u) ?

非连续模式时计算DMAX:

[attach]44336[/attach]

: O" z$ J  |  N7 E4 Z

其中,设定CR5842外接功率MOSFET漏极和源极VDS=10V。

6 a* c0 _' ~3 r4 @

5、用产品手册选择磁芯材料,确定ΔB大小


: W* }. u* E* I1 \
7 p- Y4 t6 Z) V

选择有磁芯材料应该考虑高Bs,低损耗及高ui 材料,还要结合成本考量;见意选项用PC40以上的材质。为了防止出现瞬态饱和效应以低ΔB设计:


- }* b8 R9 H* ~5 P% ~1 S

[attach]44337[/attach]
# _$ w" B. j& k  k% E6 U

4 T- L6 M0 o5 m4 G& Z5 r
7 }7 `3 F+ z2 l0 V7 t. s  `' J

式中:ΔB为最大磁通密度摆幅,Bs为饱和磁通密度,Br为剩磁,BM为最大磁通密度,一般取在0.2~0.3范围之内,若BM>0.3T,需增加磁芯的横截面积或增加初级匝数NP,范围之内。如BM<0.2T,就应选择尺寸较小的磁芯或减小初级匝数NP值。


2 ?) P, N( W8 C7 w8 w3 |' T

6、确定合适的磁芯


. A/ p" A2 P6 E0 T" L9 e

实际上,磁芯的初始选择肯定是很粗略的,因为变量太多了。选择合适磁芯的方法之一是查阅制造商提供的磁芯选择指南。如果没有可参考资料,可采用下面作为参考。   

                       

[attach]44338[/attach]

! A# X" y1 Z% F( ^* z

5 R" k* ~, q/ d" x7 Q; p$ Z

传递功率:[attach]44345[/attach]

# I2 }" s& V6 B. z" ~" [

电流密度:[attach]44346[/attach]


* ]+ E( F8 p& j9 f% v7 G

绕组系数:[attach]44347[/attach]


- n$ A. y$ g' r# q( i7 `

式中,AP单位为mm4,Aw为窗口面积,Ae为磁芯的截面积,如图2.3。ΔB为正常操作状态下的最大磁通密度(单位:特拉斯(T))。为了防止磁芯因高温而瞬间出现磁饱和,对于大多数功率铁氧体磁芯的尺寸越大Ae越高,所做的功率就越大。


. l& y7 J  {0 P: f

[attach]44348[/attach]

7 _' _$ i- e7 y. Q8 W

图2.3:磁芯窗口面积和截面积


" g2 u: n( q; E7 e) o6 A

7、估算DCM/CCM临界电流IOB

[attach]44349[/attach]

8 S7 k1 Y6 z. d- ^5 o$ h! u, y
$ g1 p2 ?# F7 ?( q7 @

8、计算初级绕组与次级绕组匝数比

[attach]44350[/attach]
. C1 l0 `1 l# X

; q7 ?4 ]# z* ~' d& V

其中,NP和NS分别为初级侧和次级侧匝数。VO为输出电压,VF为二极管正向电压:对超快速PN结二极管选取0.7V,肖特基二极管选取0.5V。VDCMIN为最小输入直流电压,DMAX为设置的最大占空比, VOR 为反射电压。


; y+ n5 K* G. H2 R

9、计算DCM/CCM临界时副边峰值电流ΔISB:

[attach]44351[/attach]

3 n) I0 y2 E! _/ K5 y% L! x* n

10、计算CCM状态下副边峰值电流ΔISP:

[attach]44352[/attach]

) o: M8 A2 B; k) W! N: _

11、计算CCM状态时原边峰值电流ΔIPP:

[attach]44353[/attach]

: ^2 U& }) _$ S1 l  R

12、计算副边电感LS及原边电感LP:


  Z, q( t% C5 t4 _+ I; G

[attach]44354[/attach]

4 d% o8 ^( t' q1 n( n( M! Q$ z

由于此电感值为临界电感,若需要电路工作于CCM则可增大此电感值,若需要工作于DCM则可适当调小此电感值。

% ^5 }# _$ k, O

13、确定原边最小NP匝数与副边NS匝数:

[attach]44355[/attach]

其中单位分别为特拉斯、安培、微亨、平方厘米,,如无参考数据,则使用[attach]44356[/attach]

以特拉斯(T)为单位。


9 G7 e# K; p" l; `! V4 ^

14、次级绕组和辅助绕组


$ |8 {5 G# u3 r% S- Y

初级绕组与次级绕组匝数比:

[attach]44357[/attach]

# y' T+ Q4 @9 h) p. U' _

其中,NP和NS分别为初级侧和次级侧匝数。VO为输出电压,VD为二极管正向电压:对超快速PN结二极管选取0.7V,肖特基二极管选取0.5V。

' a+ Y4 A5 v4 O  j7 Y2 u9 v

然后确定正确的NS,使得最终的NP不得小于NP,MIN。有的时候最终的NP比NP,MIN大得多,这就需要更换一个大的磁芯,或者在无法更换磁芯时,则通过增加KP值来减小LP,这样,最终的初级侧匝数也会减小。

2 n6 s, a  u4 s7 ~9 ?: n$ q

辅助绕组匝数

[attach]44358[/attach]
8 Y( H1 q1 ^6 a

其中,VDD为辅助绕组整流后的电压,VDB为偏置绕组整流管正向电压;


* h. g  F" t' G

考虑到系统在满载和空载转变瞬间,由于能量瞬间导致VDD下冲误触发UVLO,在系统允许的输入电压范围内且输出为空载时,建议VDD 按13V来计算。


9 k6 {! d0 Y: E

确定磁芯气隙长度:   

4 l& p! O' t% S8 c5 p

[attach]44359[/attach]

0 Y' a5 M, {. ]! ^. N1 D

其中,Lg单位为毫米,Ae单位为平方厘米,AL为无间隙情况下的AL值,单位为纳亨/圈2,LP单位为微亨。


+ ?; W0 ?& ~  Q

通常不推荐对中心柱气隙磁芯使用小于0.1 mm的值,因为这样会导致初级电感量容差增大。如果您需要使用小于0.1 mm的Lg值,请咨询变压器供应商以获得指导。


3 C4 p$ T1 h. A) a9 w4 p% Q

15.根据有效值电流来确定每个绕组的导线直径。


" i" P5 r9 W9 K' H$ j( L9 h
+ e# D9 N3 |0 b( n. g9 _9 S6 M

当导线很长时(>1m),电流密度可以取5A/mm2。当导线较短且匝数较少时,6~10A/mm2的电流密度也是可取的。应避免使用直径大于1mm的导线,防止产生严重的涡流损耗并使绕线更加容易。对于大电流输出,最好采用多股细线并绕的方式绕制,减小集肤效应的影响。

8 x0 ]1 X- w" u. m

检查一下磁芯的绕组窗口面积是否足以容纳导线。所需的窗口面积由以下公式给出:

, A2 m4 W+ T+ o& \9 D1 Z

[attach]44360[/attach]
0 V& T6 W3 l, o9 F( M

7 }9 }& F/ ]2 c8 ]7 ^1 i) C

式中,AC为实际的导体面积,KF为填充系数。填充系数通常为0.2~0.3。

" H; |" x3 i: t6 y





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