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标题: 我们帮你找到XX2293B芯片替代料,这颗高能效IC就不错~ [打印本页]

作者: 思睿达小妹妹    时间: 2023-3-2 14:19
标题: 我们帮你找到XX2293B芯片替代料,这颗高能效IC就不错~
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-2 14:22 编辑
0 M  \% W& `4 `: r. i
3 {% _) ~0 `, I7 g! j电源管理芯片是电子设备的电能**,负责电子设备所需的电能变换、分配、检测等管控功能,是电子设备中的关键器件,其性能优劣对电子产品的性能和可靠性有着直接影响,并且广泛运用于各类电子产品和设备中。4 B. E+ I. D; Q$ X  j+ E! D( T
6 R) V9 m2 Q. n* g6 X
例如公司主推的CR6863B芯片是一款高集成度、低功耗的中等功率反激电源控制IC。它的电路结构简单、较少的外围元器件,适用于中小功率AC/DC 电源适配器。) U8 \5 J9 W; S7 \% a# i
, C& U; A. F; @2 B
接下来,我们将对CR6863B和XX2293B进行对比测试,看看公司主推的CR6863B是不是略胜一筹?一起来揭晓吧!& f$ a( J4 i2 X( g
( r) J! b7 p: ~+ F& E
CR6863B & XX2293B对比测试9 N# O/ z8 i% m3 Y& g* K. R
4 h# u- ^# K# b1 e. x2 E
一、样机规格
# A; L. [$ {9 e
7 t, t# ?+ u  a  c( `9 s& f+ z
输出电压12V、输出负载2A。) _3 _$ M6 l+ D1 q4 u4 ~: Q

3 N5 e  N4 a! R4 l% d1 e2 J5 W; u
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! h# R+ o0 |6 T4 ^, S2 b3 c
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' ^: j2 Q0 u  p; M
修改参数:
# c3 c. G, k3 n8 j9 J( R* |* f% G5 _& e$ K3 Q3 e+ ~; C
直接替换IC,R5、R6由3R改为2.2R;R4由3R改为2.4R;R11由3R改为0R ;D7由A7改为RS1M。
( H2 E& i, O3 L& r6 ]" Q& Z# b9 t0 i- A3 B- X* ?2 j/ b
CR6863B产品概述+ K" Y2 Y5 c% @6 C" y
: w0 M) O" X3 t9 A' y
CR6863B是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6863B轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6863B提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle 电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计,CR6863B还提供VDD电压从8.5V-36.5V更宽的工作范围。CR6863B提供SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L的封装。
( g. W& Y" k8 x7 u  o7 j2 c7 J) p
芯片特性7 ?: p7 t' I: y$ g

) T) s$ o# [1 M2 z2 |● 较低的启动电流 (大约3μA)4 ?7 {1 y$ p7 ~+ q# k
● 内置软启动减少MOSFET应力
8 m. K+ c8 \; x& \. E# ~4 b● CCM+PFM控制模式
2 O3 `8 G: X* S● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
0 Z4 j8 h$ ]* M) n2 D6 |● 内建频率抖动功能,降低EMI$ E5 q6 v3 D" x  t7 P% p) }* A) i
● 内置65kHz开关频率# P' D6 c3 Q) y+ K" Z* y
● 轻载降低工作频率1 }: _. x$ b6 `
● VDD电压8.5V-36.5V,工作范围更宽6 p) J6 |7 O2 n
● VDD过压保护功能
1 f4 x, r, t8 c- f/ ^! q3 J0 J, y● 内置前沿消隐电路
& s. v5 c) _  u" S) t0 X● 内置过温保护
% n$ r% `3 L% X● 过载保护
$ r# P# C/ `2 j7 o  }# M+ ~/ f! f2 V● SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L封装
1 C% ~7 u: F& o) l8 d, @1 O1 G/ r5 K: E# ]& F) v) ?
基本应用
6 H# z' E5 N9 R
4 v% g( p( G# M7 F● AC/DC适配器* @% S2 o: l+ X% `3 X
● 电视及监视器电源
0 s) x; [6 i6 x9 Z$ K: @● 充电器+ w4 X$ j7 u1 m( [7 j0 f
● 存储设备电源+ o/ q; d! @4 N
: H5 n. @2 }# C+ x7 J
典型应用
  X. X0 m2 o! _+ ]3 E% k0 P+ ]! z, x9 D1 s
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管脚排列: A. Y" z8 |  }: |. ]6 ^5 K
2 }, f- x, K0 Q. C, w& c: X3 x
[attach]47325[/attach]
[attach]47326[/attach]
[attach]47327[/attach]
管脚描述0 n+ r+ k9 |8 m& U/ i# E; k
[attach]47328[/attach]

) A* l# l5 r! C- ?二、基本电性参数
4 ^! ?- U. L! `7 i  p
[attach]47329[/attach]

  L& _2 j' A8 T6 D8 [1 r$ E# I三、基本波形
[attach]47330[/attach]
XX2293B 90V/60HZ输出纹波
) ~) R0 M8 T7 ]7 E+ h7 _
[attach]47331[/attach]
CR6863B 90V/60HZ输出纹波

7 w2 Z* e3 A! ?7 v( x, Y2 v
[attach]47332[/attach]
XX2293B 264V/50HZ输出纹波

$ c' w+ [: n- V) T3 s
[attach]47333[/attach]
CR6863B 264V/50HZ输出纹波
+ y& _* @0 ?% V" o
[attach]47334[/attach]
XX2293B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形

( X# H7 Z" g& |$ x! Q
[attach]47335[/attach]
CR6863B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形

& l1 \; `( N# n: T
[attach]47336[/attach]
XX2293B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形
  b/ r6 [0 J0 O) \: z7 {( J
[attach]47337[/attach]
CR6863B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形
7 ^1 r6 M, @8 s) P
[attach]47338[/attach]
XX2293B 90V/60HZ GATE波形

( F& v  e& A: i( x- n
[attach]47339[/attach]
CR6863B 90V/60HZ GATE波形
7 H& j" M# ]  M8 V, s7 i6 E0 m
[attach]47340[/attach]
XX2293B 90V/60HZ CS波形
2 s$ ]7 ~4 N( ~! e+ O
[attach]47341[/attach]
CR6863B 90V/60HZ CS波形

0 p( [  p0 Y% G# x
[attach]47342[/attach]
XX2293B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形

) C# V; Q5 R# Q, D  `; A: B$ A
[attach]47343[/attach]
CR6863B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形

- g8 U* J0 c. d: e! r+ p8 `5 ^% y
[attach]47344[/attach]
XX2293B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形

1 c! |: b4 w3 U$ V3 C! f% c
[attach]47345[/attach]
CR6863B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形

' p# e! c1 j, g& E
[attach]47346[/attach]
XX2293B 264V/50HZ GATE波形

4 V$ b; s6 R0 y; x  a
[attach]47347[/attach]
CR6863B 264V/50HZ GATE波形
) W) |# V9 s- `! W0 p: m0 _5 a5 Q
[attach]47348[/attach]
XX2293B 264V/50HZ CS波形

# k3 O( M% e- ~# T) P) |5 e
[attach]47349[/attach]
CR6863B 264V/50HZ CS波形

/ \2 b# e, O, z" [2 k6 E4 @对比结果:电性基本一致,CR6863B效率略高于XX2293B,推荐使用公司主推的CR6863B。0 n8 O. V# ]/ l4 ]9 P) |4 t; X: O

4 _$ C9 ]8 r! E7 {" E8 t: f) C% A2 h

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