本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-2 14:22 编辑
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5 @% C+ b3 l& S$ m电源管理芯片是电子设备的电能**,负责电子设备所需的电能变换、分配、检测等管控功能,是电子设备中的关键器件,其性能优劣对电子产品的性能和可靠性有着直接影响,并且广泛运用于各类电子产品和设备中。3 F& Y! t" v8 T# R* W
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例如公司主推的CR6863B芯片是一款高集成度、低功耗的中等功率反激电源控制IC。它的电路结构简单、较少的外围元器件,适用于中小功率AC/DC 电源适配器。
) B% F7 I* t* J" P* i5 P0 W- D ~# n/ M, E# @! L: J9 G# o; Y1 B
接下来,我们将对CR6863B和XX2293B进行对比测试,看看公司主推的CR6863B是不是略胜一筹?一起来揭晓吧!
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CR6863B & XX2293B对比测试
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一、样机规格# ^! s) ^1 I* w
% D8 T) g! ?3 j% Q* Z输出电压12V、输出负载2A。
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7 w2 c% I: I& O. r- B: U ~) L
# I8 I2 x, P: \9 M修改参数:" M% z8 f0 c7 S( x" d( Y4 Y4 y
7 L2 d" v' ] K% }% S( t9 h( C
直接替换IC,R5、R6由3R改为2.2R;R4由3R改为2.4R;R11由3R改为0R ;D7由A7改为RS1M。) N; P h( R4 {4 j3 I
/ T& S+ s# I* f& u. h& yCR6863B产品概述! C/ a" p) ?7 k" H! g$ C
1 h7 C, M$ x) C8 _) nCR6863B是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6863B轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6863B提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle 电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计,CR6863B还提供VDD电压从8.5V-36.5V更宽的工作范围。CR6863B提供SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L的封装。
( f/ v2 n' y( G0 p. h$ \' D, ?* r$ X; k0 R3 a( [
芯片特性- ^+ T; u3 [. G. u2 i
8 @' l" E2 D. F2 j● 较低的启动电流 (大约3μA)' a1 Z* Q- H$ l/ D5 R7 h
● 内置软启动减少MOSFET应力0 A: ~) @2 @" s9 f* v9 g9 c% ^6 S
● CCM+PFM控制模式
! a) x' |- P7 i- v● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
, i5 v6 R2 t/ ^7 S: w6 P● 内建频率抖动功能,降低EMI) M2 c4 f) v9 R/ a8 ~% a/ v
● 内置65kHz开关频率
) a. X9 u* Q* n" [4 f! E● 轻载降低工作频率3 p, J3 B7 H5 z$ P {4 V* [
● VDD电压8.5V-36.5V,工作范围更宽
$ e3 |6 A4 [' b9 a8 ]● VDD过压保护功能
! ]- R2 F: a. \: J6 X● 内置前沿消隐电路
/ i9 ^4 I8 y6 [/ U. Z; r& W● 内置过温保护
/ l" m5 R9 U1 C2 ~( V● 过载保护
+ ?, F& t: |6 S! R k● SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L封装) Y, y8 i# v" Z& v1 u" d
2 I* y8 u3 y: e w: y1 b! Y" E% S! m# ~
基本应用
; ]9 d+ s+ h3 H' D& c. B/ Q$ g2 [5 [3 T2 W2 t5 N, q
● AC/DC适配器8 q2 O- m# {% k& M# R
● 电视及监视器电源: ^9 L+ f' M# H. X7 {+ k
● 充电器
8 U' U7 Z( B0 Z( v! @$ O# O* M● 存储设备电源
# P8 m3 s# X( O# C# h. y5 O6 w! l# a. f* {3 }
典型应用" B0 s O" h" w' j
6 n* R9 N( D) v! G" M管脚排列8 y4 p) w# q; H
$ d0 P' c, M2 V+ v }
管脚描述. r2 B; H0 }! Q- E/ O
) r7 e3 H P- E7 |2 E- e4 [二、基本电性参数
9 ]! d' U' K2 r
& F( @+ F- V& m$ p! V; v7 J三、基本波形XX2293B 90V/60HZ输出纹波
/ |3 |/ X' V b! n! ]4 OCR6863B 90V/60HZ输出纹波
. q6 ` S& B( j3 y$ HXX2293B 264V/50HZ输出纹波
0 c6 T4 m: N4 `+ ]1 y$ HCR6863B 264V/50HZ输出纹波 3 S! y" S, C' n$ ^# ]0 t
XX2293B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形
0 Z1 N0 Y8 V9 f- R: }4 {" H( GCR6863B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形
( }; h7 g( B7 ~$ Q5 ~/ z T" v% a" WXX2293B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形 9 S i" v6 d8 U6 C9 `& w
CR6863B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形
$ ?# ^' s& b1 _6 O+ JXX2293B 90V/60HZ GATE波形
2 b* e& ]/ ^- w8 W' z* a& oCR6863B 90V/60HZ GATE波形
& Q. s7 h! R4 FXX2293B 90V/60HZ CS波形 ( b# G$ ~. K0 K' H+ z, D' U
CR6863B 90V/60HZ CS波形 / z3 m Y4 u/ U2 {9 }: z n$ o
XX2293B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形
2 U/ K) `3 ]; @" P8 @CR6863B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形
; Z; u& v- \) e0 y! N. tXX2293B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形 5 M9 H5 {! k; B( ?/ m* u2 b8 g: z
CR6863B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形
5 L, H7 x2 z' U) g: ]XX2293B 264V/50HZ GATE波形
( i* _% F8 R" g; aCR6863B 264V/50HZ GATE波形 . Y( L3 J6 Q X5 Y' x
XX2293B 264V/50HZ CS波形 5 u7 d8 a9 w3 _, N3 N- h
CR6863B 264V/50HZ CS波形 % P: D$ ~" D2 R7 P( h( ^$ j% y
对比结果:电性基本一致,CR6863B效率略高于XX2293B,推荐使用公司主推的CR6863B。
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