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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑
* m" Q6 g2 J& |, P3 C6 \- C5 S) u0 J" q$ t* V; r3 ?5 }
当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。9 g  m8 e* t, D. l9 y, \: W
4 Z: i4 P# b* _
电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
: w% P6 N6 C, z4 }
/ T7 N, s, B) X' D& f/ n7 G* Y关于CR6890H, d: J. Z: d4 L  U, r/ _6 a4 t# t
6 [$ E) e/ x; a
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。, ~' O6 m5 v; l8 T5 j  n& X
- [. Y& f- @8 Z& B$ a  R
主要特点9 v* B; N0 B2 o; Z
- b2 b8 `1 N3 Z! F" J& A, u
● 较低的启动电流(大约3μA)6 ^2 F8 E( ^4 C
● 内置软启动减少MOSFET应力# l% J" o2 I% [+ P1 L  ?
● CCM+PFM控制模式
+ n7 K9 S" `* I- ]6 y1 L9 [2 T6 t● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡7 t( l' u; l' s2 {, P3 }
● 内建频率抖动功能,降低EMI2 }( Z. }  _& p' ~8 ]9 t
● 内置65kHz开关频率  Z( d+ D% L/ X3 p
● 轻载降低工作频率; [! _: |2 }# V
● 15ms倍频模式( o( J+ r+ U+ e8 T0 m% D2 m
● 可编程外置过温保护并进入latch
! X- S/ \, ?( k3 J% F1 f8 n/ q● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
% l1 R% c" I$ f3 c● 内置前沿消隐电路
1 h# t0 P' f( x2 ]● 内置输出二极管短路保护8 [2 c3 z$ D( m5 N
● 内置过温保护并进入latch: j# K$ x; D! X3 q- U2 X
● 过载保护
1 ?& I9 t" m" C: {● SOT23-6L封装7 s9 s/ O  |, p& Q2 v
6 r; {" X6 B# L0 f) l
基本应用
. k$ _4 N' c, C" }5 m% |# I& K' ~
● AC/DC适配器$ m( @; z, C) X1 W- y$ {
● 电机类适配器
% G$ a: {7 @, Y' x) @5 z, N* Q# H● 充电器, Z+ l2 e0 |/ O3 n7 C
● 存储设备电源
& [, h# l2 J7 j* n2 Q0 G. R4 X$ s' }
典型应用
! O' m$ a, Z6 x9 e8 m9 O
管脚排列; Y) D; I- u4 K- U
管脚描述  X: b, ^1 T0 Y4 }0 A
+ Z  o0 U; s( I+ N/ e9 s: d
一、样机规格  }4 q; k* h8 Q' A% u4 c
/ H5 f1 E% U" D! J, k+ e$ D) j
输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。
4 D4 ^" k# n. Z2 J
9 m/ Z: Q! @: A1 G; {3 S修改参数:; x& t& O3 I) u  M) g

4 e( ?: `+ ^% |( g替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
9 m  Y" [. ^; a: e8 F: W4 T& v% q* A! B0 O  r: z
二、基本电性参数$ {) _# T6 ~2 P; J7 M' `2 ]2 |
三、基本波形
, M! K1 p1 D, q% F+ ?5 h# H/ B. a
XX5533 264V/50HZ MOS波形

" @+ t$ [5 n  b' M) Q
CR6890H 264V/50HZ MOS波形
& D( y  z/ Y! K. q
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
+ @  H8 _( [8 z; c& I% G) ?+ K
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
4 j6 _4 F$ p( A  C3 N5 H0 D
XX5533 264V/50HZ GATE波形

7 P, A% G- W# Z, B  W: Q
CR6890H 264V/50HZ GATE波形

. U/ [5 z" R; G; o8 M# d5 ~: N
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N

1 k" r6 q. X$ k' _( E
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
! ?# u- F* ?1 P6 ?1 B4 R2 y, }
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N

' }; d/ H7 X- S/ E
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
2 t3 H' J' B0 F/ @# y4 M# ?
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
" s1 Z" `9 I/ n% X) @% [- [
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

+ Z& d2 z% Z6 E1 S5 j3 w2 r
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
: B9 J; v1 T, \0 V
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

% c& b5 r2 z$ X" k7 f对比结果0 j' |/ r' q7 h' L  m
8 s2 D9 I( ^0 {; R( r6 x2 }
电性基本一致,CR6890H效率更高。# B, Y4 l+ y2 w0 o+ v

9 c( v$ @7 B2 N2 {) `# a0 d* v/ n& i

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