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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑
; h: M+ G d9 y$ E& R# V# z# I( C s
|6 M- F8 P$ x- `6 s当今世界，人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的，其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
% I. H+ v: s/ v; b
6 \, j( {+ @7 Y) ~$ l9 z/ z5 N: l电源管理芯片的应用范围十分广泛，例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来，我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试，看看哪一款IC更胜一筹！; W" Z" R2 z3 m, a/ U; U
1 N' M4 ]' U( i2 e" y4 T) W关于CR6890H/ _ h0 d5 I+ y
5 |6 b' c5 ~& b, L" Q1 S1 y
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率，最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能，如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等，还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力，前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计，降低开关噪声，简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。) ^1 t+ n6 {$ K' r( Y" Q
2 V- Q: H0 h. P) P$ O
主要特点
& v+ s( H$ m6 a! z5 Z, S6 s- i" w4 O8 w- O# J8 h9 p
● 较低的启动电流(大约3μA)
9 v* p/ I4 [- X* g, R. F0 e5 Y' n● 内置软启动减少MOSFET应力. { N) A0 ]. x5 H8 G
● CCM+PFM控制模式# |3 X: c$ S' E
● 内建同步斜坡补偿，消除次谐波震荡
7 o1 g8 q, ~$ B6 w% n. e# @● 内建频率抖动功能，降低EMI
, O+ z6 Q0 O4 P/ \( ^$ O# m) E+ N● 内置65kHz开关频率/ `# B4 s2 g8 _
● 轻载降低工作频率' r! w' V; R$ b5 Z
● 15ms倍频模式7 Z+ i% D' ^. i: E
● 可编程外置过温保护并进入latch
1 }& x/ |* z) J8 U# G V; n● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch4 m9 Y9 d' x; ?! v
● 内置前沿消隐电路
+ N6 m! w$ b8 _. ?● 内置输出二极管短路保护
) l3 ?4 B7 _: `. N" k& A# z● 内置过温保护并进入latch
1 C% C' Y7 o4 `* o' l● 过载保护
; J& P, z5 M. r8 i% o1 x# N) V● SOT23-6L封装# L, W) ]7 v0 `! Z
2 M+ d5 i0 |' W$ P% q基本应用2 z* E1 P1 O: k: n
u2 O- B6 |6 E& `" N5 U
● AC/DC适配器
7 L6 h% }- ?% V/ P● 电机类适配器
( y1 V1 b. L! S5 J$ ^/ G* [● 充电器
+ }( R7 z; b5 a p( i, X● 存储设备电源7 z- ~; O. h: @' X# n5 @8 }1 N2 `
# L9 Q! X8 V) A! C0 W4 R
典型应用) o# ~- i3 Z; c; J/ Q
管脚排列
{2 @+ N) l! U/ h4 f9 E管脚描述3 F, I6 u: \; o9 m9 \
+ m* d, G3 ~4 V0 n* G
一、样机规格
& J2 w0 ~# t( f3 Q
7 r1 w% S* d4 b4 _. ~& b输出电压12V，输出负载5A，IC lot：HHP02。/ q7 y$ Z& n! G2 z2 q2 O. Y, O* H; `( Z
( D3 u7 i: S& A1 q6 i
修改参数：
, V1 a- G1 P6 @ c* }9 ^7 p, R* L
: R' H1 g/ M @2 U; `替换IC，RS1电阻由0.33R改为0.27R（直接并1R电阻）R9由47R改为200R，R8由33R改为20R。
' A) Q; T4 W* }9 r) Q4 V
3 r5 j9 p+ x) d# M; q3 E. n二、基本电性参数
+ r% m* _' Y( @( x( u, d- l三、基本波形
C4 r& ]- n z) s \% |
; s; U" e1 t) X0 a N" f4 lXX5533 264V/50HZ MOS波形
) K3 c3 k* H& P( p, V: K+ ]. pCR6890H 264V/50HZ MOS波形
! k9 H/ i# c/ _9 P* ~XX5533 264V/50HZ 肖特基波形 9 L/ s9 q' y! u
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
/ } F# H/ k3 y) yXX5533 264V/50HZ GATE波形
5 c; k+ k" s* C5 O2 ^$ sCR6890H 264V/50HZ GATE波形 # ^4 g% g1 \0 r/ U! g% V7 D; N
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
' A, x7 x1 ]- \, b5 oXX5533 230V/50HZ 传导波形 L
& p( Z' D" v% zCR6890H 230V/50HZ 传导波形 N 4 A) |" F+ ~+ G1 j5 k! ?# X
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
, } s Y) N* j) m8 m6 `XX5533 230V/50HZ 辐射波形 ' J* m3 w- a$ q6 D
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
1 L$ ~; Q5 ^! x% c7 V1 l L9 CCR6890H 230V/50HZ 辐射波形
2 i+ W: f- |9 i# J! oCR6890H 230V/50HZ 辐射波形
( @% G* D4 K# \# c对比结果( e/ u1 k" y" l/ ~
/ S n0 T; P/ D7 M! }0 e
电性基本一致，CR6890H效率更高。& W3 w! T- _7 X3 w' c7 B8 O. {
* B1 J0 L7 R2 k% R5 @
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狗仔卡
发表于 2023-3-16 10:50:13
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