|
|
MOS管是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体三端器件，很多特性和应用方向都与三极管类似。这种器件不仅体积小、质量轻、耗电省、寿命长、而且还具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强等优点，应用广泛，特别是在大规模的集成电路中。
- k+ X; T B P7 L% Q) `. \
7 z+ n, r/ S9 A" o根据导电沟道的不同，MOS管可分为N沟道和P沟道两类，每一类又分为增强型和耗尽型两种。现在以N沟道器件为例来介绍一下MOS管的工作原理。
- v9 N5 D2 g: ^4 {) c P; X' u( b) l& w5 h4 o
MOS管的基本工作原理是利用栅源电压去控制漏极电流，但漏极和源极之间不存在原始导电沟道，所以工作时还需要先建立。
b/ Q$ [# A. u7 C$ y0 O
1 T' `& Z4 J# F* ?当VGS达到VT时，该区域聚集的自由电子浓度足够大，而形成一个新的N型区域，像一座桥梁把漏极和源极连接起来。该区域就称为N型导电沟道，简称N沟道，而VT就称为开启电压，VGS>VT 是建立该导电沟道的必备条件。3 F' l4 x; ]9 g8 B g# G3 N0 h( W
7 g' Q8 _, r, f A& Y
当沟道建立之后，如果漏极之间存在一定的驱动电压VDS，漏极电位高于源极，造成氧化层上的电场分布不均匀，靠近源极强度大，靠近漏极强度弱，相应的导电沟道也就随之变化：靠近源极处宽，靠近漏极处窄。
7 U0 L. A, r w2 W! d
6 L: G1 r5 v' }9 }7 e1 H所以，MOS管的漏极电流Id主要受电压VGS和VDS的影响，前者通过控制导电沟道来影响Id，后者直接作为驱动来影响Id。总的来说，MOS管与三极管特性极其相似，实际应用中常常都是把两者结合使用。 |
|
IP卡
狗仔卡
发表于 2023-6-13 09:40:13
收藏
分享
淘帖
提升卡
置顶卡
沉默卡
喧嚣卡
变色卡
显身卡