高性能可编程、自供电！这款非隔离电源芯片超“硬核”(...

思睿达小妹妹

6 X; f$ \" E4 B8 h1 `使用非隔离电源，其电路拓扑更简单，低成本、效率极高并且具备短路保护、欠压保护等功能。下文将为大家介绍的是高性能电源方案，它是基于CR3215A 5V0.3A 参考设计。

CR3215A是一款低成本高精度待机电源芯片。内置功率管，极小的LEB时间可以实现 AC264V 输入，5V输出的应用需求。IC具有自供电能力无需启动电阻，同时 IC 具有多重保护功能。本设计为 AC230V 输入，使用 DR9*12 工字电感设计。
2 z* |5 a( k& _, q; u! a
01、原理图、样机
9 d. X8 O$ t. k  d# G/ D

CR3215A
3 e+ L5 E- h: [3 V
CR3215A集成非隔离式电源控制器，高雪崩能力功率 MOSFET，以及高压启动 MOSFET，用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。多模式输出：输出电压可通过FB电阻调整，并实现 3.3V 以上多电压输出功能或固定输出 12V 功能。可通过CS引脚外接采样电阻实现可编程输出电流控制。芯片内置高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护（OLP），过温保护（OTP），欠压保护（UVLO），FB短路保护，FB 开路保护，输出过压保护，输出短路保护，磁饱和保护等。另外芯片的降频调制和频率抖动技术有助于改善EMI特性。
1 Z4 _; O. T6 v1 x/ e" r( X
& m$ |) L) F, X, w主要特点
9 `6 U0 w. Q, Y/ g* s5 n7 U# G3 a
% k/ h! L: U& L. I● 内置650V高雪崩能力功率MOSFET
8 r2 L, G% C- j● 内置高压启动和自供电电路
9 Q- R8 i- P$ E& u● 适用于Buck、Buck-Boost等多种架构
● 多模式输出（输出电压大于3.3V，可通过FB电阻调整或固定输出12V）
' l8 `9 q6 J1 Z+ y# R5 ]% r/ y  k  l● 输出功率可编程
- u7 s; I# d% G* u) u- s: {● 改善EMI的频率抖动技术
● 优异的负载调整率和工作效率
" F! Q+ k. M! Z+ \+ N8 p● 全面的保护功能：过载保护（OLP），过温保护（OTP），欠压保护（UVLO），FB短路保护，CS悬空保护，输出过压保护，磁饱和保护等
# j" e) g  `, M) j% B: Z) ?
4 s0 X, J- a* I' B" A基本应用

& B8 ?* Q% K0 B# z● 非隔离辅助电源
● 小家电
: J9 U' y5 s9 [+ n● 智能家居
. @' B9 O$ v" |+ b● LED
8 D# F( y2 {8 Z
+ C9 z1 q$ u0 y; {8 h3 q引脚分布

, O3 x& M8 Z5 ?. Z8 h8 u3 C- I

! z( t, ~2 [. ]- z  N- X- H引脚描述

典型应用

输出电压可调应用方案

固定输出12V应用方案

: i3 ]/ |9 |' E4 q02、BOM LIST

03、效率测试

9 V) v  Y5 G: S0 p% l# r* H  H04、线性、负载调整率
' I% f# I3 L) k  M1 u

. m4 ]) u7 C& j4 l  D0 J1 V0 t05、过流点测试

2 V$ n( I6 e; X1 G( _9 |06、工作波形

264V 启动波形 I_L3&V_D3

I_L3&V_D3 230VAC Io=0.3A

注意：
在最大输入电压下带载启动，工字电感不能出现饱和，否则请使用更大截面积磁芯。工字电感的磁路易受到外部介质影响，同时也对外界电路影响较大，请慎重选择。