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关于稳定性和功耗问题,这两款芯片怎么选?看对比就懂了

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发表于 2023-4-27 10:50:21 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-4-27 10:54 编辑
" Q7 t5 ], S/ a! Q
. I7 P3 j7 K( P( g. X; q电源管理芯片的正确选择对电源适配器/充电器来说至关重要,它关系到电源适配器/充电器的稳定性、功耗和效率等问题。本篇文章将向您介绍本公司主推CR6853B和XX2263的对比测试报告,看看选择哪款电源管理芯片更合适。
4 {4 h+ c, X9 [8 c" b! T( [
0 Y8 T# ^& |6 ~$ U9 I关于公司主推的CR6853B" C# D* j/ Z, {+ t# L# }

, f. \0 c# J& M2 p1 q" {9 gCR6853B是一款高集成度,低功耗的电流模 PWM 控制芯片,该芯片适用于离线式 AC-DC 反激拓扑的小功率电源模块。芯片可以通过外接电阻改变工作频率;在轻载和无负载情况下自动进入 PFM 和 CRM,这样可以有效减小电源模块的待机功耗,达到绿色节能的目的。
+ q2 ?, g1 b6 s( t  v9 h. z+ ~* E3 ]* ?
CR6853B具有很低的启动电流,因此可以采用一个2兆欧姆的启动电阻。为了提高系统的稳定性,防止次谐波振荡,CR6853B内置了同步斜坡补偿电路;而动态峰值限制电路减小了在宽电压输入(90V~264V)时最大输出功率的变化;内置的前沿消隐电路可以消除开关管每次开启产生的干扰。CR6853B内置了多种保护功能:过压保护 、逐周期峰值电流限制、欠压锁定(可以用它实现短路和过流保护)以及输出驱动的高电平钳位在 18.0V 以下。而驱动输出采用的图腾柱和软驱动有效降低了开关噪声。CR6853B提供SOT23-6L,SOP-8L和DIP-8L无铅封装。
% _& J6 m, j3 U( e& v* G7 S: N2 `  G3 s# C( `0 p4 B
主要特点
4 f& ]$ ^$ F# J* s1 {4 n7 O5 j! |
, k" v8 ?: K* Q8 N: t$ p  Y2 v● 低成本、PWM&PFM&CRM (周期复位模式)控制, s  t5 D( X# [& y8 Y
● 低启动电流 (约3μA)
$ j0 e6 [" P1 p' X1 }8 H, k( z, I● 低工作电流 (约1.2mA)
  D) ]" j, T. H; ]8 A● 电流模式控制) T' {8 y3 N# P: z9 a3 P6 v
● 内置同步斜坡补偿; ?7 U8 Z4 x- M5 b$ M7 |
● 低EMI技术
- q8 g/ ]; B* ^  @9 q2 f3 i● PWM频率外部可调, \- C+ x7 B* a
● 轻载工作无音频噪音: i( |- B* T1 T- N3 ~& k- I+ i
● 内置前沿消隐
* x: d; {2 r% j) S" {3 J* {* o● 在输入90V~264V的宽电压下可实现恒定最大输出功率) w4 G( R; L- R4 i  W7 x, P7 y
● GATE引脚驱动输出高电平钳位18.0V" i1 ]0 `* h$ G9 `, y' N6 {
● VDD引脚过压保护34.0V
1 o4 v) V5 G" z; f+ H: ~● 欠压锁定(UVLO)、周期电流限制、短路保护、过载保护等保护功能
" n! m% f! f. c5 ~● 具有自动恢复的保护功能4 k! h% u% O. g- j1 F; w
● 高压BiCMOS工艺1 [5 ^. t( T& G7 ^
● SOT23-6L,SOP-8L ,DIP-8L 无铅封装
& x0 m, h: \- U; {9 i7 N( F7 w& y/ c& X! F) j  q; f' o
应用( f( L7 _/ r4 D! r

; C2 C$ Q6 g, ^, i* p● AC/DC电源适配器7 C4 k5 w# u, N% t
● 电池充电器0 b, e( m/ i) m8 u! ]% U4 K; d, b5 F
● 开放式电源: Z3 r* k; M2 g+ o, R6 A' c* {
● 备用开关电源
6 {8 J8 \$ p, y$ N% _. u7 B● 机顶盒开关电源
' I! \1 r1 n! b" I/ g- I' K6 \● LED照明电源) L9 o: g4 g0 x8 {3 s, P

/ T4 x1 ~6 J) M# R# k9 @) X$ C
管脚排列图

4 _1 i; m& \2 T3 r0 W. v: R

" @  h$ a6 b2 i* X' d# \( P
) x  ]6 i  B9 L0 [- t引脚描述
4 U2 G6 [3 ^2 C
# _; E0 Y0 |# a0 ?: A
- l7 i& c3 E1 I. Y+ `9 D. ]
典型应用, f9 K, d: p* I8 ]/ P

  x# c+ B4 N, S7 Z3 a% `4 b$ FCR6853B&XX2263对比测试
: Q9 }; W- |: P+ b! @1 X2 w
* ?* W+ p  \; P  ?' V一、样机规格' _9 T* \6 |; X

! w. ]" p* W# t! {& }输出电压13 V、输出负载1.5A、IC lot:6853N35。
" e+ l& l. M4 X# R6 f" j1 j
( ]/ i9 g9 o- E/ n7 w# ^
7 P9 t% r0 f- C) `
+ W  k, t2 l" {6 x2 p: t6 D6 j

4 Q+ B, z2 F; j: K8 l( r3 g修改参数:直接替换IC,其他无更改。
0 o) `* }* j3 }6 b7 w3 P$ u3 J$ S
二、基本电性参数& s2 z, p1 m% q7 J" V3 T

1 k5 g+ @" e: l0 p, _
: M7 `5 ?, R" A' x/ Y2 D
三、基本波形
& t9 T9 W; r* F% L& ?+ A; v' X5 b5 k* V) v1 T/ F
XX2263 90V/60HZ输出纹波
) q+ B3 X  N: o0 q5 |3 h! R
CR6853B 90V/60HZ输出纹波
" P& K. y. k. B- [1 ~) \
XX2263 264V/50HZ输出纹波

; j- ^% N3 r4 f" L
CR6853B 264V/50HZ输出纹波

! f* e. O/ i2 L% E6 ?& W
XX2263 90V/60HZ MOS波形

( V+ }1 [* t  ~& L
CR6853B 90V/60HZ MOS波形
! f  m! W3 `/ o  W
XX2263 90V/60HZ 肖特基波形

9 {* d! ]6 u) l4 ^* X# ~  [% t* X& J
CR6853B 90V/60HZ 肖特基波形

0 \/ n$ F& c  A; G
XX2263 90V/60HZ GATE波形

& b+ a  e8 Q0 O+ s& A+ h" z' Q
CR6853B 90V/60HZ GATE波形
$ j- D2 J# C8 P) M1 N1 u# K' }
XX2263 90V/60HZ CS波形

4 B! S; y! g7 O; o! Z1 ~
CR6853B 90V/60HZ CS波形

% r, a* X8 I- B  O
XX2263 264V/50HZ MOS波形

# [9 o# H: `: y* E
CR6853B 264V/50HZ MOS波形
8 ~( S+ C6 a; U1 R6 ?
XX2263 264V/50HZ 肖特基波形
$ V3 l( d& ~; i' L* ?+ t
CR6853B 264V/50HZ 肖特基波形

0 k9 f+ ]2 z) P" X
XX2263 264V/50HZ GATE波形

: U( P: w  B  T+ n5 O7 y
CR6853B 264V/50HZ GATE波形
9 W# _9 Z: R+ F
XX2263 264V/50HZ CS波形

, Q+ O/ W7 M* [& H/ [
CR6853B 264V/50HZ CS波形

2 T7 B3 G$ h! t1 G( C4 z! ]0 Q' M; t( `: G对比结果( `% O1 t; c3 _, W$ b3 n- f9 q
, `3 R& B/ R" M- h
两者电性基本一致,但公司主推的CR6853B效率更高,推荐使用。
$ j+ y  B  n4 Q$ o7 B+ Y3 f3 K& ?. d& Q5 U3 X8 w

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