本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2022-4-21 16:37 编辑 0 a" r0 v5 c) b* {5 E
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在电子专业里,经常能看到变压器的身影,变压器是一种供电所常用的机器,它的主要作用是改变电压。变压器的工作原理其实很简单,就是通过电磁感应让交流电的电压发生改变。其主要构件包括初级线圈、次级线圈、铁芯。其实变压器的作用不只是改变电压那么简单,它的作用还包括电压变换电流变化等。 . h; ]; B: [# X0 T
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接下来,小编为大家整理了开关电源变压器相关的计算公式,赶紧收藏起来吧!
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1、确定系统规格
6 a( f# K% @/ b! H5 N u9 |6 `% Y9 m. N. P; v
最小AC输入电压:VACMIN,单位:伏特。 , ^0 Q7 H1 o6 Z2 x' Z. Q, T! T
最大AC输入电压:VACMAX,单位:伏特。 G& U' R+ ^% F$ G6 ?
输入电压频率:fL,50Hz或者60Hz。 % m9 J/ _5 c. |" ?( v
输出电压:VO,单位:伏特。 1 Y* e+ d" M: a% v: U
最大负载电流:IO,单位:安培。
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输出功率:PO,单位:瓦特。 7 q' I7 g+ D/ [* t, k4 t) t- o
电源效率:η,如无数据可供参考,则对于低电压输出(低于6V)应用和高电压输出应用,应分别将η设定为0.75~0.79和0.8~0.89。 计算最大输入功率:PIN,单位:瓦特。
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2、直流电压范围(VMIN、VMAX) 1 ~0 t2 u) a& C( t! ]( k$ q
最小直流输入电压VMIN
4 O: R3 k L1 g2 m; {( l# _4 W9 c' }/ D0 S0 ] r+ M7 a4 B/ W
其中,
* n- u+ _4 d( a# R0 R8 r
fL为输入交流电压频率(50Hz/60Hz); tC为桥式整流大额导通时间,如无数据可供参考,则取3ms; 所有单位分别为伏特、瓦特、赫兹、秒、法拉第。 最大直流输入电压VMAX 2 ~6 P% B9 ]1 ^
3、相应工作模式和定义电流波形参数KP
" t* q& u: ~8 f( z/ v x0 _6 D $ {% S* A* J% G" v7 M8 }! X. Z- T4 [
图2.2 电流波形与工作模式 当KP≤1,连续模式,如图2.2a; ) h" g$ b' U8 o; s
( j0 a) ~% Y2 j
其中:IR为初级纹波电流,IP为初级峰值电流。 ! A. f; F9 x* ?6 ]5 y4 M2 W6 ]
当KP≥1,非连续模式,如图2.2b;
|' X4 ]! O2 v在连续模式设计中,宽电压输入时,设定KP=0.4;230V单电压或者115V倍压整流输入时,设定KP=0.6。在非连续模式设计中,设定KP=1。 5 J3 B: t' R) f* H
4、确定反射的输出电压VOR和最大占空比DMAX
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反射电压VOR设定在80V~110V。
7 x+ z% f" q) Q5 }/ O, m
连续模式时计算DMAX: ( S! I4 r1 e. L
非连续模式时计算DMAX: 6 t" p4 g" {. m0 H7 r
其中,设定CR5842外接功率MOSFET漏极和源极VDS=10V。
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5、用产品手册选择磁芯材料,确定ΔB大小 : y+ p. I2 l: s+ [
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选择有磁芯材料应该考虑高Bs,低损耗及高ui 材料,还要结合成本考量;见意选项用PC40以上的材质。为了防止出现瞬态饱和效应以低ΔB设计: * i y: f4 ?# X: v+ s: |
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& P2 Z9 r% O. n4 D/ O1 F$ F8 x( | ]( z
式中:ΔB为最大磁通密度摆幅,Bs为饱和磁通密度,Br为剩磁,BM为最大磁通密度,一般取在0.2~0.3范围之内,若BM>0.3T,需增加磁芯的横截面积或增加初级匝数NP,范围之内。如BM<0.2T,就应选择尺寸较小的磁芯或减小初级匝数NP值。 * h# G8 _! A; e- ], k* _
6、确定合适的磁芯
6 I' @2 c( l9 ]2 B7 c+ D! b实际上,磁芯的初始选择肯定是很粗略的,因为变量太多了。选择合适磁芯的方法之一是查阅制造商提供的磁芯选择指南。如果没有可参考资料,可采用下面作为参考。
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传递功率: 1 K- @0 |7 o. d( M# I# M
电流密度:
, E2 M+ c1 B& p# l+ W绕组系数: ! O! ^ [# D. m& ~% j- C1 O. w( O
式中,AP单位为mm4,Aw为窗口面积,Ae为磁芯的截面积,如图2.3。ΔB为正常操作状态下的最大磁通密度(单位:特拉斯(T))。为了防止磁芯因高温而瞬间出现磁饱和,对于大多数功率铁氧体磁芯的尺寸越大Ae越高,所做的功率就越大。 $ i7 p0 {0 Z3 |# y" n
2 F, W- a: j h& p图2.3:磁芯窗口面积和截面积 4 W6 {$ B/ J, e" S
7、估算DCM/CCM临界电流IOB & f/ ? R6 G0 i/ N4 h2 M
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8、计算初级绕组与次级绕组匝数比 , F& u( q9 J7 L& o9 x( y- J
2 C6 X5 i4 F& z: j" H其中,NP和NS分别为初级侧和次级侧匝数。VO为输出电压,VF为二极管正向电压:对超快速PN结二极管选取0.7V,肖特基二极管选取0.5V。VDCMIN为最小输入直流电压,DMAX为设置的最大占空比, VOR 为反射电压。
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9、计算DCM/CCM临界时副边峰值电流ΔISB: " {) h- o. ^" U J8 F/ g
10、计算CCM状态下副边峰值电流ΔISP: 2 F9 q: E( N) b6 A& W
11、计算CCM状态时原边峰值电流ΔIPP:
1 x) \( V! `0 F5 L! Y12、计算副边电感LS及原边电感LP: : d, _# V1 q0 b3 r2 r
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由于此电感值为临界电感,若需要电路工作于CCM则可增大此电感值,若需要工作于DCM则可适当调小此电感值。
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13、确定原边最小NP匝数与副边NS匝数: 其中单位分别为特拉斯、安培、微亨、平方厘米,,如无参考数据,则使用 以特拉斯(T)为单位。 $ b$ y3 k; m5 y2 M3 p
14、次级绕组和辅助绕组
9 n3 y5 A7 U" y6 J初级绕组与次级绕组匝数比:
' h, t% \, v$ z+ ^+ r# J' @其中,NP和NS分别为初级侧和次级侧匝数。VO为输出电压,VD为二极管正向电压:对超快速PN结二极管选取0.7V,肖特基二极管选取0.5V。
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然后确定正确的NS,使得最终的NP不得小于NP,MIN。有的时候最终的NP比NP,MIN大得多,这就需要更换一个大的磁芯,或者在无法更换磁芯时,则通过增加KP值来减小LP,这样,最终的初级侧匝数也会减小。
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辅助绕组匝数
/ j2 T# l) o. A; H其中,VDD为辅助绕组整流后的电压,VDB为偏置绕组整流管正向电压; 3 Q% G# q& s1 c
考虑到系统在满载和空载转变瞬间,由于能量瞬间导致VDD下冲误触发UVLO,在系统允许的输入电压范围内且输出为空载时,建议VDD 按13V来计算。 " l* J2 I$ S1 ]3 F/ c
确定磁芯气隙长度:
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+ j0 q( i. [+ ?, o& N0 {其中,Lg单位为毫米,Ae单位为平方厘米,AL为无间隙情况下的AL值,单位为纳亨/圈2,LP单位为微亨。
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通常不推荐对中心柱气隙磁芯使用小于0.1 mm的值,因为这样会导致初级电感量容差增大。如果您需要使用小于0.1 mm的Lg值,请咨询变压器供应商以获得指导。 5 p4 r) ?4 G+ k$ b& `( \4 R1 i- m, K
15.根据有效值电流来确定每个绕组的导线直径。
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当导线很长时(>1m),电流密度可以取5A/mm2。当导线较短且匝数较少时,6~10A/mm2的电流密度也是可取的。应避免使用直径大于1mm的导线,防止产生严重的涡流损耗并使绕线更加容易。对于大电流输出,最好采用多股细线并绕的方式绕制,减小集肤效应的影响。
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检查一下磁芯的绕组窗口面积是否足以容纳导线。所需的窗口面积由以下公式给出:
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2 L% {8 f7 [5 X0 k- D4 z( l U式中,AC为实际的导体面积,KF为填充系数。填充系数通常为0.2~0.3。
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