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PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

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发表于 2023-6-21 10:21:57 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑
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作者:屈工有话说
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PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。+ \( c* u  k& K7 F4 s  C
# |+ `! W/ @. }& o! ]& \
工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:. M8 T% Z) P' @/ ^& F/ D: l. M1 \
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TT9930 样机图片
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【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
7 e) R1 j# f& }: r+ d* y【规格】12V2A
0 d; E4 a3 {; ^$ p. K【控制IC】TT99303 `  X# y3 c" N% Y/ u4 U

4 n) o5 Q  {; ]' B6 c! M5 _【问题描述】! K/ t3 {7 |! {: v) U
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样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:) U. \6 w! t2 j* X+ e. F6 G

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0 F# ]* x5 p; G' p
点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。& F3 h. l; |) }) [7 {

2 @3 k8 P2 r+ Z8 C4 m0 A9 v1 _+ h
9 W* B9 |( a6 ~# G" _# V$ _
如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。
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; s& _( W7 b7 |! {【解决思路】& j/ I  i3 O0 O4 N( T
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1、重新设计电源
" z% h4 Y7 [2 g- U& b; [0 G/ Q0 L) n2 M+ ~5 t
首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。' o3 [) k6 m3 _- ]
" @7 }" x( f* w$ V2 e! a; s
2、更换元器件, V1 n5 T( {$ K! m

/ k; r5 G" n$ i应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。
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! f0 H6 L* p" e9 K% e/ c: l! ?3、优化PCB布局
4 S2 B7 `) Q* ^( }; x- b$ ?  t' r0 `$ ^+ @* c2 B8 n1 S4 F
合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。
, I- l9 p; n8 k( u7 Q& F
8 L3 N4 N! Y3 w1 |8 N1 ]4、优化散热设计0 P8 _3 h5 j# [; z

; Z  @( ?: I  m) j# m) z2 t通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。
# S6 F0 ?& P, r* N( @. X! ?3 ~: z5 ^7 S4 [2 q: h) h- i: Z) t8 F8 l
5、加强制造与测试管理) z, I# P- c9 A+ f: [9 r- X

( y$ {$ N& H/ X% e7 w加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。% T, S4 Q  P! E4 n) ?. r* D

% L. V! u1 \' x8 j5 o8 c【调通要点】
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如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。1 n9 s7 M6 g0 y* H7 n- j5 I
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: R+ @: f7 M& e6 x. t8 v6 J
如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。
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如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。
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【最终结果】
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经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:0 p2 v7 o* C0 J/ V- Q4 T9 S
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5 t7 k; x% D+ C# a' D1 x7 m该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。
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