本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-2 14:22 编辑
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! b( m% c3 s! m& M, f电源管理芯片是电子设备的电能**，负责电子设备所需的电能变换、分配、检测等管控功能，是电子设备中的关键器件，其性能优劣对电子产品的性能和可靠性有着直接影响，并且广泛运用于各类电子产品和设备中。+ X) s# Y' I. D% O6 C, Z
7 t6 [5 P0 a% w; ?
例如公司主推的CR6863B芯片是一款高集成度、低功耗的中等功率反激电源控制IC。它的电路结构简单、较少的外围元器件，适用于中小功率AC/DC 电源适配器。( r- I- Z$ T" @1 i
. v R2 N/ K! t+ p* V
接下来，我们将对CR6863B和XX2293B进行对比测试，看看公司主推的CR6863B是不是略胜一筹？一起来揭晓吧！! c, f2 d6 l" Y
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CR6863B & XX2293B对比测试
5 V, ^. N' s5 |* z ~( E* O# b8 K# z/ S' n
一、样机规格
4 O9 Y- ?& \7 N) ?1 h
% R% N) }: @9 W0 ?7 B7 u输出电压12V、输出负载2A。3 o+ A3 i. q# K
) \: G3 }, h1 A0 k. F4 r- A( g
9 P6 N! p" q7 n1 X* G! s' i3 n7 B( H& o- r5 D" H
修改参数：
) b. m$ P. Y. E8 b) N/ l* x. _1 f
直接替换IC，R5、R6由3R改为2.2R；R4由3R改为2.4R；R11由3R改为0R ；D7由A7改为RS1M。7 G3 J |# W/ S% U/ Q* O
- C! f3 W8 C0 X, e: H% Q. s0 O0 `CR6863B产品概述
6 j. S5 U7 g7 [! b, o
5 s o4 q1 y" \CR6863B是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6863B轻载时会降低频率，最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6863B提供了完整的保护功能，如cycle-by-cycle 电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力，前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计，降低开关噪声，简化了EMI设计，CR6863B还提供VDD电压从8.5V-36.5V更宽的工作范围。CR6863B提供SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L的封装。% q& h* Q% u; R' A: q' u1 u9 K
9 j& l" A7 H* \9 L" m
芯片特性- o l; A, G. G& m
) B/ V K4 _2 L
● 较低的启动电流 (大约3μA)7 Y, W) \" |0 _
● 内置软启动减少MOSFET应力
" e8 e# O/ `0 v, @8 K5 e● CCM+PFM控制模式7 O0 N5 l$ \- F$ j
● 内建同步斜坡补偿，消除次谐波震荡
& g# j0 @: c6 h% b7 H$ i# L● 内建频率抖动功能，降低EMI8 q% [' {( o% L8 |) k
● 内置65kHz开关频率
4 {+ g/ m2 Q! v `) G● 轻载降低工作频率
8 C' F* G7 t/ B! T; O7 {5 d9 U6 X● VDD电压8.5V-36.5V，工作范围更宽
# }) [4 S8 }4 o+ E& B● VDD过压保护功能 E5 J) C0 W/ \3 J
● 内置前沿消隐电路
, {# g( W( f6 v) T- b: l) J' X% T+ {# \● 内置过温保护
1 Z" A+ }% b4 \+ `+ @/ r& r● 过载保护
) @0 u7 D+ M- D6 h! I4 {& Q- g* j● SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L封装- w" [0 w$ Y2 R2 s A% q4 m# M
& g' F2 p7 T# p" h" V! H$ \0 P i* n) L基本应用1 l2 e+ L& G& ^) v+ M" ?
& N& [ x/ L5 O/ b" o+ z3 [● AC/DC适配器! H7 {( {. @1 |5 n
● 电视及监视器电源' M9 `: a9 S( n* Z. f+ q
● 充电器
G; {+ f0 a( O● 存储设备电源
4 i1 [0 U. F: E1 E
; _4 R- E3 t! b1 }0 H5 ^7 g典型应用
1 P" ]3 x6 r: j8 D+ z' I1 @" K X+ |
管脚排列
4 M1 D6 H4 K( p g9 V: x+ a4 t' K
管脚描述$ g; I. C/ h" \ C! g7 ?
: T/ f/ Z/ H4 {7 L
二、基本电性参数
" f: ?+ [/ y% ^8 {/ r2 X/ P
: }1 l, \. z/ [% T- U三、基本波形XX2293B 90V/60HZ输出纹波 % _6 N# u7 I* D, `. J
CR6863B 90V/60HZ输出纹波 1 Q2 k0 [/ P& C5 I4 s
XX2293B 264V/50HZ输出纹波 / K* u4 f5 S* U; [8 Q6 p
CR6863B 264V/50HZ输出纹波
5 S: |1 a0 v0 ?. d# i( DXX2293B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形 9 D5 o# v4 E$ m% O2 W8 f8 ?* o
CR6863B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形
' v s" f V+ j* @' IXX2293B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形
& F" W! `7 t6 e" ]CR6863B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形
4 |' a7 a5 A8 FXX2293B 90V/60HZ GATE波形 ; T+ n0 z) I0 k- a; V+ E
CR6863B 90V/60HZ GATE波形 - F7 h* A. `2 t& o5 ^
XX2293B 90V/60HZ CS波形 ) {6 v' w8 I, ]; F( A- }) r
CR6863B 90V/60HZ CS波形 : u' O, s5 ^9 t1 J, v
XX2293B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形 ; x* w% W* ^$ H" M* g; {
CR6863B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形 1 |0 q" Y$ a: T2 X% r
XX2293B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形 # F6 d+ n5 P) I4 ^# b- E
CR6863B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形 . k8 O) s* _9 ]/ V0 H
XX2293B 264V/50HZ GATE波形
9 A1 }8 b& G7 {$ g# o/ uCR6863B 264V/50HZ GATE波形
% C8 _ e4 ^5 L" i# r; [XX2293B 264V/50HZ CS波形 8 Q; c7 {) p- Q
CR6863B 264V/50HZ CS波形
+ t" `6 w7 I# V8 D' a Z, U4 x2 O对比结果：电性基本一致，CR6863B效率略高于XX2293B，推荐使用公司主推的CR6863B。
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6 `9 L) o1 S5 Q( i
4 H, \6 D: E' s$ A5 k( H2 t5 C. o c) W
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发表于 2023-3-2 14:19:00
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