本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-2 14:22 编辑 8 ~5 E ?( ~3 a3 r: ?
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电源管理芯片是电子设备的电能**,负责电子设备所需的电能变换、分配、检测等管控功能,是电子设备中的关键器件,其性能优劣对电子产品的性能和可靠性有着直接影响,并且广泛运用于各类电子产品和设备中。7 }5 Q; v! ?3 x) w0 D7 u; L, e
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例如公司主推的CR6863B芯片是一款高集成度、低功耗的中等功率反激电源控制IC。它的电路结构简单、较少的外围元器件,适用于中小功率AC/DC 电源适配器。
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接下来,我们将对CR6863B和XX2293B进行对比测试,看看公司主推的CR6863B是不是略胜一筹?一起来揭晓吧!
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CR6863B & XX2293B对比测试
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一、样机规格
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输出电压12V、输出负载2A。. |, }# \$ G. d: |3 t
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3 k* S. R' @* S0 |% k5 Z) D7 G3 V2 J
. `. s5 Z( p5 ?# _修改参数:
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% F9 B; f. j( p直接替换IC,R5、R6由3R改为2.2R;R4由3R改为2.4R;R11由3R改为0R ;D7由A7改为RS1M。
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- I' c, ^+ _' [1 ?( M! _CR6863B产品概述
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CR6863B是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6863B轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6863B提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle 电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计,CR6863B还提供VDD电压从8.5V-36.5V更宽的工作范围。CR6863B提供SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L的封装。
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8 S! Y5 P! m! }( N0 d7 F芯片特性
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● 较低的启动电流 (大约3μA)" ~/ D' b* d- F. H( g9 J' b" y
● 内置软启动减少MOSFET应力
% B0 |9 a8 w" i8 n● CCM+PFM控制模式
0 }# u7 ]* L F; ^' O( B● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡8 P2 b+ q$ s0 r/ k# D6 O) \
● 内建频率抖动功能,降低EMI
0 M$ T; `8 \$ `/ ^2 A7 l● 内置65kHz开关频率
g! [9 }1 o2 \2 s+ X● 轻载降低工作频率
/ W9 @/ \5 j( [" r0 z3 ^' Z● VDD电压8.5V-36.5V,工作范围更宽
! ]2 G2 @$ ^- N9 v- \( U$ l1 L● VDD过压保护功能
- m1 u$ `1 P+ d8 ]● 内置前沿消隐电路2 G2 _ P4 n+ W; O' n, Y" U4 e+ B
● 内置过温保护 t5 k0 F1 H) F6 {$ }% T3 {; ^# V
● 过载保护
% O+ R! }( O @/ d! w5 K● SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L封装. i5 @- P# D2 W; m* m/ L
! R$ J, m' Z0 k: ?: e+ n基本应用1 A' p% c: }' E* j4 P5 ^
* I! L* g2 Z% @5 m! D A
● AC/DC适配器) t7 i, x/ a& p) J
● 电视及监视器电源$ T* w' M' {. X; z
● 充电器& e2 u3 l8 U! _ y2 G
● 存储设备电源! t5 q+ Q2 o/ s/ M4 ^
- H2 x* \# Y( Z( J典型应用2 s8 @% r9 q# n( l. ?7 ]# d. |$ B2 ]3 U
| J- Z, u, }8 d; _管脚排列
: T5 V6 F3 R9 v- r' g' h4 P
9 v( _4 m' \$ v* s/ m5 @管脚描述
+ @" H+ L& Z; d
* q3 e/ y/ F ]/ n1 `二、基本电性参数6 Q# B9 T L L" a
. v, `4 W* w, t/ D! W9 A
三、基本波形XX2293B 90V/60HZ输出纹波 1 A) w6 D* r- w) l# c5 f' _
CR6863B 90V/60HZ输出纹波 $ }& `$ K0 w$ m( r2 t g# z, |
XX2293B 264V/50HZ输出纹波 D$ Z# D$ T' w3 t X2 @
CR6863B 264V/50HZ输出纹波 - d) L; {7 @1 j6 M
XX2293B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形
* C5 T" z4 H, k1 oCR6863B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形 3 C: s% R4 Q9 F$ V# {
XX2293B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形 ! _# V# C, p' ?3 C2 L4 { q
CR6863B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形
5 q3 c- A) R* ?% aXX2293B 90V/60HZ GATE波形
9 i9 F# O5 D4 e$ Q* yCR6863B 90V/60HZ GATE波形
4 L# K6 m0 x( O \$ _XX2293B 90V/60HZ CS波形 : s7 H/ ~: s0 }: w2 S5 r( ^
CR6863B 90V/60HZ CS波形
( H! ^; g8 J/ SXX2293B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形
# Y/ W: R2 f, NCR6863B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形 ' h8 h, `# d' o) Y, j5 e
XX2293B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形
9 {, E: j" h0 j& aCR6863B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形 6 f t% U" r# S& w
XX2293B 264V/50HZ GATE波形 7 x$ f3 p& K1 R$ X- ~2 k
CR6863B 264V/50HZ GATE波形
) G: n2 [, Z+ S* bXX2293B 264V/50HZ CS波形 + F% `4 }0 F; t5 `) h3 a. \
CR6863B 264V/50HZ CS波形 2 D' d8 I+ L7 f3 ~! q/ ^! A3 F- }
对比结果:电性基本一致,CR6863B效率略高于XX2293B,推荐使用公司主推的CR6863B。( m6 O# J! S6 u Z ^+ P
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