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我们帮你找到XX2293B芯片替代料,这颗高能效IC就不错~

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发表于 2023-3-2 14:19:00 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-2 14:22 编辑 8 ~5 E  ?( ~3 a3 r: ?
. B$ ^* _% Q8 l; p* c
电源管理芯片是电子设备的电能**,负责电子设备所需的电能变换、分配、检测等管控功能,是电子设备中的关键器件,其性能优劣对电子产品的性能和可靠性有着直接影响,并且广泛运用于各类电子产品和设备中。7 }5 Q; v! ?3 x) w0 D7 u; L, e
  L* _. H3 E, t+ {0 h5 U2 `
例如公司主推的CR6863B芯片是一款高集成度、低功耗的中等功率反激电源控制IC。它的电路结构简单、较少的外围元器件,适用于中小功率AC/DC 电源适配器。
) `/ N4 u8 b+ o3 g/ I- L0 P3 i* A. P" h5 d- y# G
接下来,我们将对CR6863B和XX2293B进行对比测试,看看公司主推的CR6863B是不是略胜一筹?一起来揭晓吧!
1 z% o7 e7 q, O" }/ A' G! _" E8 y' _8 R+ n1 A1 z( e6 f8 [! S
CR6863B & XX2293B对比测试
, S3 T5 r7 I7 s/ r: m, f3 K) x( D: V3 y; S. g0 {
一、样机规格

. C% _; z  N: r# ?' b6 C! r5 e: N$ R$ R3 t9 e
输出电压12V、输出负载2A。. |, }# \$ G. d: |3 t
8 b7 n0 a, {- B2 c
3 k* S. R' @* S0 |% k5 Z) D7 G3 V2 J

. `. s5 Z( p5 ?# _修改参数:
9 Y: i3 Q5 r" d- P$ {
% F9 B; f. j( p直接替换IC,R5、R6由3R改为2.2R;R4由3R改为2.4R;R11由3R改为0R ;D7由A7改为RS1M。
. Y! H# W' q1 j! }1 `& d& ^5 g# J
- I' c, ^+ _' [1 ?( M! _CR6863B产品概述
3 W3 g, J3 a; U( V% @1 E2 m( R& [: r5 X/ s! v
CR6863B是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6863B轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6863B提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle 电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计,CR6863B还提供VDD电压从8.5V-36.5V更宽的工作范围。CR6863B提供SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L的封装。
" J% z2 W3 ^& a% T4 N; E
8 S! Y5 P! m! }( N0 d7 F芯片特性
+ a3 ]% E! D( ?+ a* G4 t% w) Q4 e7 Q+ n3 ~
● 较低的启动电流 (大约3μA)" ~/ D' b* d- F. H( g9 J' b" y
● 内置软启动减少MOSFET应力
% B0 |9 a8 w" i8 n● CCM+PFM控制模式
0 }# u7 ]* L  F; ^' O( B● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡8 P2 b+ q$ s0 r/ k# D6 O) \
● 内建频率抖动功能,降低EMI
0 M$ T; `8 \$ `/ ^2 A7 l● 内置65kHz开关频率
  g! [9 }1 o2 \2 s+ X● 轻载降低工作频率
/ W9 @/ \5 j( [" r0 z3 ^' Z● VDD电压8.5V-36.5V,工作范围更宽
! ]2 G2 @$ ^- N9 v- \( U$ l1 L● VDD过压保护功能
- m1 u$ `1 P+ d8 ]● 内置前沿消隐电路2 G2 _  P4 n+ W; O' n, Y" U4 e+ B
● 内置过温保护  t5 k0 F1 H) F6 {$ }% T3 {; ^# V
● 过载保护
% O+ R! }( O  @/ d! w5 K● SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L封装. i5 @- P# D2 W; m* m/ L

! R$ J, m' Z0 k: ?: e+ n基本应用1 A' p% c: }' E* j4 P5 ^
* I! L* g2 Z% @5 m! D  A
● AC/DC适配器) t7 i, x/ a& p) J
● 电视及监视器电源$ T* w' M' {. X; z
● 充电器& e2 u3 l8 U! _  y2 G
● 存储设备电源! t5 q+ Q2 o/ s/ M4 ^

- H2 x* \# Y( Z( J典型应用2 s8 @% r9 q# n( l. ?7 ]# d. |$ B2 ]3 U

  |  J- Z, u, }8 d; _
管脚排列
: T5 V6 F3 R9 v- r' g' h4 P
9 v( _4 m' \$ v* s/ m5 @
管脚描述
+ @" H+ L& Z; d

* q3 e/ y/ F  ]/ n1 `二、基本电性参数6 Q# B9 T  L  L" a
. v, `4 W* w, t/ D! W9 A
三、基本波形
XX2293B 90V/60HZ输出纹波
1 A) w6 D* r- w) l# c5 f' _
CR6863B 90V/60HZ输出纹波
$ }& `$ K0 w$ m( r2 t  g# z, |
XX2293B 264V/50HZ输出纹波
  D$ Z# D$ T' w3 t  X2 @
CR6863B 264V/50HZ输出纹波
- d) L; {7 @1 j6 M
XX2293B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形

* C5 T" z4 H, k1 o
CR6863B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形
3 C: s% R4 Q9 F$ V# {
XX2293B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形
! _# V# C, p' ?3 C2 L4 {  q
CR6863B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形

5 q3 c- A) R* ?% a
XX2293B 90V/60HZ GATE波形

9 i9 F# O5 D4 e$ Q* y
CR6863B 90V/60HZ GATE波形

4 L# K6 m0 x( O  \$ _
XX2293B 90V/60HZ CS波形
: s7 H/ ~: s0 }: w2 S5 r( ^
CR6863B 90V/60HZ CS波形

( H! ^; g8 J/ S
XX2293B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形

# Y/ W: R2 f, N
CR6863B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形
' h8 h, `# d' o) Y, j5 e
XX2293B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形

9 {, E: j" h0 j& a
CR6863B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形
6 f  t% U" r# S& w
XX2293B 264V/50HZ GATE波形
7 x$ f3 p& K1 R$ X- ~2 k
CR6863B 264V/50HZ GATE波形

) G: n2 [, Z+ S* b
XX2293B 264V/50HZ CS波形
+ F% `4 }0 F; t5 `) h3 a. \
CR6863B 264V/50HZ CS波形
2 D' d8 I+ L7 f3 ~! q/ ^! A3 F- }
对比结果:电性基本一致,CR6863B效率略高于XX2293B,推荐使用公司主推的CR6863B。( m6 O# J! S6 u  Z  ^+ P
. k) e/ g/ {. K( T0 b
& o( G' a. q$ {# H; Z* L5 H

' w7 K- T, H; l: X) c4 Z' I

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