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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 ( {& X1 D/ y2 @/ C
9 b: m- k1 `4 u) k8 ]# a# v当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
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0 \' R, [; I9 V* t2 ~$ b6 k, m电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!- S4 d8 ?" r1 y) @5 E+ y6 N2 e
6 L2 J* f2 V) k1 |0 U
关于CR6890H7 c# Z+ x2 `: k0 n9 w+ d2 m
7 U3 `0 [2 _; I) q) C0 ]CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
1 x% e2 g V' P# v! @; W$ Z; a& A8 n9 x" n8 O
主要特点2 D( ` Q: O0 p$ g3 @1 r
& }7 u7 m$ @+ y8 h; C2 v
● 较低的启动电流(大约3μA)
3 W, f3 N7 @" D, w) p9 W" N% H● 内置软启动减少MOSFET应力
I0 Y) n8 A7 R* d5 }- Y● CCM+PFM控制模式# m! D5 i0 M4 w2 d; Z# n3 | e% `7 I
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡* u8 }- a! ]: M, D; J1 h) {, n
● 内建频率抖动功能,降低EMI
, t* c! l3 h9 \● 内置65kHz开关频率
9 Q- H* H. j! H7 U6 m" Q! t; u; W, @● 轻载降低工作频率& T5 n5 O: M& J0 {$ @
● 15ms倍频模式/ |3 R3 d/ B5 H: Q. }
● 可编程外置过温保护并进入latch" d6 |% O5 G) m+ j+ t2 o$ W
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
& _: X$ T# i" w4 _) o● 内置前沿消隐电路) `$ V1 S' h! p" W; H
● 内置输出二极管短路保护
4 \7 j/ K1 M0 E) e4 ~$ ?● 内置过温保护并进入latch
0 q4 |; y: h1 B/ I7 u7 L( M● 过载保护
7 d( O& p7 e. r1 O6 \9 }● SOT23-6L封装
6 t$ S* Z) ^$ m, ?$ K* G8 O; X- A! S' G# ]( c
基本应用
3 |- p8 _) @* H a; l4 w
! }/ l p/ H% b/ A; R5 Q● AC/DC适配器' F) e( Z# s5 q
● 电机类适配器
3 i6 H' X; R4 H: q' e* b# p0 D2 O● 充电器
; R% q! H6 w) U6 d. Y% y# J5 W: o+ R● 存储设备电源( `$ x! c& e ^1 u+ s
3 Q( D& u6 I1 B+ u3 o6 o: m! M7 A$ f
典型应用$ t" N k+ f/ @% z K4 }
管脚排列
( X M4 N1 }* _9 U管脚描述' t) E) t9 y7 V% K& h* U" D
/ o# k) Z* L: M
一、样机规格/ K" c: l7 L, ^6 Z0 a
4 a; G) v1 @/ Y9 N/ [! |8 `# |
输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。
$ B9 @0 m: x- H8 |4 n
+ S. H V9 u/ o" D修改参数:
8 u/ `9 `# a8 g/ c1 Y9 q0 {4 x" Z: Q- ], Q0 G
替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
9 s. X( e( }. u _2 M z
" c6 r: }- }! I' y6 Y二、基本电性参数6 F8 c, I6 ^' H% Z
三、基本波形
+ ^% L9 K: L% ~* X0 A. e: L+ ^" g* t
XX5533 264V/50HZ MOS波形 0 b+ G) U, y, c; o
CR6890H 264V/50HZ MOS波形 8 F$ l! f# b" `$ `% g3 V# l0 k
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
' F6 L* w$ J% X9 V* o5 n: [4 {CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形 , m0 o' Z4 h* [& h" T) D; e8 ^
XX5533 264V/50HZ GATE波形
% [8 U6 M- Z2 {7 x" `- |" b* ~CR6890H 264V/50HZ GATE波形 5 \* q- o3 e- H) ~) j) L. |9 J3 M0 X
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N 1 U: o. K9 V$ C2 h6 Y; k
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
: j4 N/ @% x6 M8 @' X% O* ]4 T( bCR6890H 230V/50HZ 传导波形 N % E8 c N# e1 V3 q
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L 5 D/ [# @4 }0 d
XX5533 230V/50HZ 辐射波形 3 T$ |, T' f3 }; }# _' @( r- Q% V" g
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
+ W8 ?3 K/ e0 A" `/ ^+ b8 ^CR6890H 230V/50HZ 辐射波形 + h4 v- N! a' ?; c
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
! \( f3 Z1 ?* O2 m" E对比结果
+ x! w* Q7 g$ L/ j9 H+ D* Y" q" E9 p: Z. w7 Q4 o% V2 B0 T
电性基本一致,CR6890H效率更高。
5 `" t; [* t8 x) v; A7 ^ T) A
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