本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-2 14:22 编辑 / d( G/ L2 P) r3 l+ a
- o( v9 m+ ?/ \+ x- l: K. d电源管理芯片是电子设备的电能**,负责电子设备所需的电能变换、分配、检测等管控功能,是电子设备中的关键器件,其性能优劣对电子产品的性能和可靠性有着直接影响,并且广泛运用于各类电子产品和设备中。' z' i% L! x2 T& ?
# R) B+ G( r# Q6 t: p+ Z; Y; E例如公司主推的CR6863B芯片是一款高集成度、低功耗的中等功率反激电源控制IC。它的电路结构简单、较少的外围元器件,适用于中小功率AC/DC 电源适配器。
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9 y5 K2 i' [6 |5 ?6 Y9 ~接下来,我们将对CR6863B和XX2293B进行对比测试,看看公司主推的CR6863B是不是略胜一筹?一起来揭晓吧!" o1 I$ b7 n+ h! ]! e
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CR6863B & XX2293B对比测试
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一、样机规格
) m0 Q. v' \3 p1 I$ e8 \* ^0 P* g9 H) G) m5 U
输出电压12V、输出负载2A。
. w; d% G) v3 N7 g3 i% r: g& {# s& D. J) O0 v$ H/ y
* Y9 N' i, `; i# c4 c1 U& M8 V( a: M$ M8 `$ z# y% o3 ^
修改参数:0 K7 U9 y R2 g- Z% J3 H
* x. Q9 J5 h e) v& m直接替换IC,R5、R6由3R改为2.2R;R4由3R改为2.4R;R11由3R改为0R ;D7由A7改为RS1M。
3 g( e+ `: d, V4 |* A; r! g3 F4 y, B8 T0 t- W, A: |; S, [
CR6863B产品概述 j- q5 f. z% q
+ T# z2 I0 o) |+ g) XCR6863B是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6863B轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6863B提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle 电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计,CR6863B还提供VDD电压从8.5V-36.5V更宽的工作范围。CR6863B提供SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L的封装。4 O4 s( `, P0 E
- j6 l1 X6 b6 M. q' c Z @ e. ^芯片特性
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● 较低的启动电流 (大约3μA)
: o. H: F1 u( b! w1 v● 内置软启动减少MOSFET应力7 P, J: L6 z& z, H/ R0 E! `
● CCM+PFM控制模式
3 W9 l$ z' |- s7 Y% C. n2 w● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡! S; f% Y `+ G& d+ z7 k* s! g, W
● 内建频率抖动功能,降低EMI3 \% m( ^2 [" l9 l) g/ B& U3 J
● 内置65kHz开关频率
/ K$ k3 q$ W E● 轻载降低工作频率
% P9 S) {# i' u) J● VDD电压8.5V-36.5V,工作范围更宽0 R. Z1 Y! Y4 n4 e, y0 N
● VDD过压保护功能- \7 x; H+ {8 E9 y3 m* k
● 内置前沿消隐电路) w) v. T% {9 |' m
● 内置过温保护
% L8 f% P: Z- d* S7 f- M* _. s' J● 过载保护
0 \* a0 k5 O e! S; K' _● SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L封装
1 c& V; `. M* T2 v. ~. @0 S1 A: H
基本应用+ ^- X) H& U7 S8 d( X
. ^3 ^ R+ m: x4 z. P9 |% O4 e
● AC/DC适配器 G, A+ O( Z% I* Z
● 电视及监视器电源; b! N9 A% y# |
● 充电器
; E7 s" q% ?) Y● 存储设备电源
1 i( l- _1 D3 S/ U. W! t1 R3 ~3 y) I9 v- ]$ b0 y0 E
典型应用
" R' M$ l: u$ t) K& e0 f4 P& T; J' R P+ k
管脚排列
4 y, `6 c3 X3 S) x, h0 |
. C* v E2 y2 J4 I0 z% A管脚描述! X" x, [+ ^4 H' j L
6 N( K4 {& n2 h, |3 e( h B
二、基本电性参数9 H+ K9 _2 l" U; O9 Z5 d
/ {( P1 c; f; X, ~. _& Z# {+ H+ j
三、基本波形XX2293B 90V/60HZ输出纹波
6 d! r. V+ U4 n5 ?& S% v _CR6863B 90V/60HZ输出纹波
+ Q/ L+ [( E7 U/ `# Q. OXX2293B 264V/50HZ输出纹波 6 D3 M4 q! P) r: g6 H" }3 O4 Y
CR6863B 264V/50HZ输出纹波 $ a6 _8 w$ q) \$ v0 L, _, A' h
XX2293B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形 ) ?% D5 B* g0 U' Q& m; a' K- A
CR6863B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形 ! {0 s4 j0 X6 X; {: m
XX2293B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形
! v0 A, }- B0 U- q5 Q; }4 M/ OCR6863B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形 ( `0 l" j ]* u; {6 E
XX2293B 90V/60HZ GATE波形
* [6 x; G4 E# M- u( {CR6863B 90V/60HZ GATE波形
! P8 x5 t! q% I% d+ aXX2293B 90V/60HZ CS波形
# q* r% F+ T6 `% T7 A7 n, t ^. cCR6863B 90V/60HZ CS波形
+ @ u8 D2 S" k) K+ @XX2293B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形
8 ?% P+ V4 K7 M# sCR6863B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形 : Y. F3 K4 A7 P
XX2293B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形
- j2 Q6 }$ ~; R, K: FCR6863B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形 # {6 Z" d: L0 S' k t$ O
XX2293B 264V/50HZ GATE波形 4 v5 I2 X7 B/ c' d
CR6863B 264V/50HZ GATE波形 M2 h" a0 k( C) Q* v F8 @3 k3 B
XX2293B 264V/50HZ CS波形 9 F3 D, ^' H$ T$ @5 r. R! e2 t- o& ~
CR6863B 264V/50HZ CS波形
( k" S1 F0 e/ J. Q对比结果:电性基本一致,CR6863B效率略高于XX2293B,推荐使用公司主推的CR6863B。
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