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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑   J9 b) z* m8 y* {+ I! _0 t% U" ?

! \, h" Y9 G" P: Y) i* k$ j$ ?" n当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
5 W5 P: ^/ b2 Q1 x) K
# H6 w" q# N8 S  c& _8 K电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!, t+ K6 S! b* i
5 C' w: C8 p6 [) Q! w  K9 P
关于CR6890H
0 V! m* ~8 v5 s* |  M  d* h$ ?' U( X+ ?' X% q9 Z
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。6 ?4 @' d! b& N. X: `) G

3 h! e, z7 I, I" k- V( }7 J- S5 _1 @主要特点! I8 q: f2 I& J+ P( }- T

& j/ |+ f' o9 @0 D# Z/ T: ?+ a) Y● 较低的启动电流(大约3μA)9 g/ p. z$ I! ?2 c7 B* i9 W6 m
● 内置软启动减少MOSFET应力
  C7 H; W" P2 d, I3 x( Z6 Y) g7 }( K● CCM+PFM控制模式1 ~% O: u3 H+ ]  I" I
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
  d) k* [$ ]5 o5 }0 ]2 C; |# N9 D● 内建频率抖动功能,降低EMI- f' T( ?7 k( r) n4 X
● 内置65kHz开关频率
8 Z. d2 ?9 l6 s' T) n- z● 轻载降低工作频率
! h: b) R! L- o% [7 a● 15ms倍频模式
! P6 j. Y* ^2 C1 Z& X; O) T● 可编程外置过温保护并进入latch. N$ f: k; w, a: H
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch* e; X: a& c/ k' H: k
● 内置前沿消隐电路
0 L+ [1 G* T7 d& S● 内置输出二极管短路保护$ ~# m5 \  f! A5 S# m; ]% h
● 内置过温保护并进入latch
! E0 o4 h3 l5 o5 N- k$ k4 y  e( K● 过载保护- D+ ?: u, u+ J* I0 _3 \: o
● SOT23-6L封装
7 r& R0 T, Q( o5 {4 I
$ s6 a4 d7 G- u8 e1 g# r基本应用
6 E( a8 Q* S( \8 U: ^; l8 g
& z* N' |# v# L/ Q: V/ P, E4 @● AC/DC适配器' d* r8 _/ p; G
● 电机类适配器
3 ?; {" L$ l. g( k- u( i2 b/ `3 f  P● 充电器/ H0 i: \  ]; V6 m
● 存储设备电源
2 k# a3 O/ y2 j% Z& h8 s
# N8 ^# ^( S; l+ K7 N' C# B! V典型应用
& o/ p) h* d; [( c6 B; v. [
管脚排列3 \4 R* P0 f% A
管脚描述
" ^2 d' ?: Y* i( e8 X: F# U

; A* H  n$ {1 B: W! O9 N2 c; L一、样机规格
# q& Y% ]) t5 r2 s% M" E7 `: z7 o/ J- r8 {8 u4 F
输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。, _0 }! ]! j: j6 d$ V

# Q4 d  S8 K2 }修改参数:
$ Y9 X( F9 ?8 N: k! N' T) ]% p& s5 _5 C1 }9 h2 B" @# m1 Q( f
替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
& s# t( y8 n4 c) {. x2 u( W1 \7 T" Y6 M4 U2 g
二、基本电性参数  \# f2 u/ o" j
三、基本波形; f2 ]) ], i/ V) }* E* L
3 b. `6 Z' A$ _) f+ Z' k  @
XX5533 264V/50HZ MOS波形

# m7 ]6 \* ]8 m# z$ B2 a% E
CR6890H 264V/50HZ MOS波形

  e  }$ j7 h  K, b' C/ I
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形

- w+ f6 A; h* X/ Y2 ]  u1 Y( {
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
  g; k1 r2 V4 E( N( S1 b& a* j& C
XX5533 264V/50HZ GATE波形

2 x0 ]5 y) @$ b$ {9 }2 S/ l$ C
CR6890H 264V/50HZ GATE波形
7 F3 t) I! d! H6 t: b# a# ]2 m4 {
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N

$ B& v/ m9 `6 R7 v; w3 C
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
+ h& D! `1 s+ ?6 s
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N

" I6 b! R: @- O! H% I! g/ H- U
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L

7 E# \7 z& c6 p( a& U- |( }
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

9 N* u& z" }& V5 E6 t/ u/ J
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

3 O. _4 }1 q1 S% _1 l
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

! y$ |+ O+ y, I" q! O
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

" \* C% }  ?, C8 Z; L6 Z. S对比结果" m/ n( K+ m' i8 D7 a5 b* |

) c/ `( e) i# T) V3 o8 I! r' X& p1 A* C电性基本一致,CR6890H效率更高。
4 e) X+ B7 {% Q6 X/ G& ]( ]
2 I1 g* _* j: N7 d- V) `* c( Q" i

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